Το 74HCT00DB,112 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 74HCT00DB,112, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 74HCT00DB,112 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 74HCT00DB,112 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
74HCT00DB,112
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 74HCT00DB,112
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SSOP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 34024 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 74HCT00DB,112.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 14-SSOP |
| Σειρά: | 74HCT |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 14-SSOP (0.209", 5.30mm Width) |
| Αλλα ονόματα: | 1727-3346 568-2757-5 568-2757-5-ND 74HCT00DB112 935174130112 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C |
| Αριθμός εισόδων: | 2 |
| Αριθμός Κυκλωμάτων: | 4 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max καθυστέρηση διάδοσης @ V, Max CL: | 12ns @ 4.5V, 50pF |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 13 Weeks |
| λογική Τύπος: | NAND Gate |
| Logic Level - Χαμηλή: | 0.8V |
| Logic Level - Υψηλή: | 2V |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | NAND Gate IC 4 Channel 14-SSOP |
| Τρέχουσες - ηρεμίας (Max): | 40µA |
| Τρέχουσες - Έξοδος High, Low: | 4mA, 4mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | 74HCT00 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 74HCT00DB,112
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
74HCT02BQ-Q100,115 | Nexperia | IC GATE NOR 4CH 2-INP 14DHVQFN | Έρευνα |
 |
74HCT00D/AUJ | NXP Semiconductors / Freescale | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SO | Έρευνα |
 |
74HCT00N,652 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14DIP | Έρευνα |
 |
74HCT00T14-13 | Diodes Incorporated | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP | Έρευνα |
 |
74HCT00PW,112 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP | Έρευνα |
 |
74HCT00DB,118 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SSOP | Έρευνα |
|
74HCT00PW,118 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP | Έρευνα |
|
74HC93N,112 | NXP Semiconductors / Freescale | IC 4BIT BINARY RIPPLE 14-DIP | Έρευνα |
|
74HCT00D-Q100,118 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SO | Έρευνα |
|
74HC93DB,112 | NXP Semiconductors / Freescale | IC 4B BINARY RIPPL COUNT 14SSOP | Έρευνα |
|
74HCT00D,653 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SO | Έρευνα |
|
74HCT00BQ,115 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14DHVQFN | Έρευνα |
|
74HC93DB,118 | NXP Semiconductors / Freescale | IC 4BIT BINARY RIPPLE 14SSOP | Έρευνα |
 |
74HCT00D | Toshiba Semiconductor and Storage | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC | Έρευνα |
|
74HCT02BQ,115 | Nexperia | IC GATE NOR 4CH 2-INP 14DHVQFN | Έρευνα |
|
74HCT00D,652 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SO | Έρευνα |
|
74HCT00BQ-Q100,115 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14DQFN | Έρευνα |
|
74HCT02D | Toshiba Semiconductor and Storage | IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOIC | Έρευνα |
 |
74HCT00S14-13 | Diodes Incorporated | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SO | Έρευνα |
|
74HCT00PW-Q100,118 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών