Το 561R1DF0T12 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 561R1DF0T12, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 561R1DF0T12 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 561R1DF0T12 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
561R1DF0T12
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 561R1DF0T12
- Κατασκευαστής:
- Angstrohm / Vishay
- Περιγραφή:
- CAP CER 120PF 1KV N2000 RADIAL
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 23758 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 561R1DF0T12.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 1000V (1kV) |
| Ανοχή: | ±10% |
| Πάχος (Max): | - |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | N2000 |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.252" Dia (6.40mm) |
| Σειρά: | Cera-Mite 561R |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial, Disc |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 105°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 40 Weeks |
| μόλυβδος Style: | Straight |
| μόλυβδος Απόσταση: | 0.252" (6.40mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | - |
| Χαρακτηριστικά: | Low Dissipation Factor |
| Ποσοστό αποτυχίας: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 120pF ±10% 1000V (1kV) Ceramic Capacitor N2000 Radial, Disc |
| χωρητικότητα: | 120pF |
| εφαρμογές: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 561R1DF0T12
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
561R1DF0Q18 | Angstrohm / Vishay | CAP CER 18PF 1KV N1500 RADIAL | Έρευνα |
|
561R1DF0T27 | Angstrohm / Vishay | CAP CER 270PF 1KV N2500 RADIAL | Έρευνα |
|
561R1DF0T15LB | Angstrohm / Vishay | CAP CER 150PF 1KV N2000 RADIAL | Έρευνα |
|
561R1DF0Q82 | Angstrohm / Vishay | CAP CER 82PF 1KV N1500 RADIAL | Έρευνα |
|
561R1DF0Q22 | Angstrohm / Vishay | CAP CER 22PF 1KV N1500 RADIAL | Έρευνα |
|
561R1DF0T22UA | Angstrohm / Vishay | CAP CER 220PF 1KV N2500 RADIAL | Έρευνα |
|
561R1DF0T39 | Angstrohm / Vishay | CAP CER 390PF 1KV N2800 RADIAL | Έρευνα |
|
561R1DF0T33 | Angstrohm / Vishay | CAP CER 330PF 1KV N2800 RADIAL | Έρευνα |
|
561R1DF0T15 | Angstrohm / Vishay | CAP CER 150PF 1KV N2000 RADIAL | Έρευνα |
|
561R1DF0Q47 | Angstrohm / Vishay | CAP CER 47PF 1KV N1500 RADIAL | Έρευνα |
|
561R1DF0Q56 | Angstrohm / Vishay | CAP CER 56PF 1KV N1500 RADIAL | Έρευνα |
|
561R1DF0T39RR | Angstrohm / Vishay | CAP CER 390PF 1KV N2800 RADIAL | Έρευνα |
|
561R1DF0Q68 | Angstrohm / Vishay | CAP CER 68PF 1KV N1500 RADIAL | Έρευνα |
|
561R1DF0Q33 | Angstrohm / Vishay | CAP CER 33PF 1KV N2200 RADIAL | Έρευνα |
|
561R1DF0Q39 | Angstrohm / Vishay | CAP CER 39PF 1KV N2200 RADIAL | Έρευνα |
|
561R1DF0T18 | Angstrohm / Vishay | CAP CER 180PF 1KV N2000 RADIAL | Έρευνα |
|
561R1DF0Q27 | Angstrohm / Vishay | CAP CER 27PF 1KV N2200 RADIAL | Έρευνα |
|
561R1DF0T22JK | Angstrohm / Vishay | CAP CER 220PF 1KV N2500 RADIAL | Έρευνα |
|
561R1DF0T22 | Angstrohm / Vishay | CAP CER 220PF 1KV N2500 RADIAL | Έρευνα |
|
561R1DF0T10 | Angstrohm / Vishay | CAP CER 100PF 1KV N2000 RADIAL | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών