Το 1N4936G R1G είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 1N4936G R1G, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 1N4936G R1G μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 1N4936G R1G με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
1N4936G R1G
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 1N4936G R1G
- Κατασκευαστής:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 54523 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1N4936G R1G.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.2V @ 1A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 400V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DO-204AL (DO-41) |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 200ns |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Αλλα ονόματα: | 1N4936G R1G-ND 1N4936GR1G |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -55°C ~ 150°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 12 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 400V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 5µA @ 400V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 1A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 1N4936G R1G
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;