Το 1N3210 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 1N3210, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 1N3210 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 1N3210 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
1N3210
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 1N3210
- Κατασκευαστής:
- GeneSiC Semiconductor
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 200V 15A DO5
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 45466 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.1N3210.pdf2.1N3210.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.5V @ 15A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 200V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DO-203AB (DO-5) |
| Ταχύτητα: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Αλλα ονόματα: | 1242-1263 1N3210GN 1N3210GN-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -65°C ~ 175°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis, Stud Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 200V 15A Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 10µA @ 50V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 15A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | - |
| Αριθμός μέρους βάσης: | 1N3210 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 1N3210
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
1N3208R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 50V 15A DO5 | Έρευνα |
|
1N3209 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 15A DO5 | Έρευνα |
|
1N3211 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 300V 15A DO5 | Έρευνα |
 |
1N3211 | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N3209 | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N3210 | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N3208 | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N3211R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 300V 15A DO5 | Έρευνα |
|
1N3212R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 15A DO5 | Έρευνα |
|
1N3208R | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N3211R | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N3210R | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | Έρευνα |
 |
1N3174 | Powerex, Inc. | DIODE STUD MNT 240A 1000V DO-9 | Έρευνα |
|
1N3209R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 15A DO5 | Έρευνα |
|
1N3174R | Powerex, Inc. | DIODE STUD MNT 240A 1000V DO-9 | Έρευνα |
|
1N3208 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 15A DO5 | Έρευνα |
 |
1N3210R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 15A DO5 | Έρευνα |
|
1N3209R | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N3212 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 15A DO5 | Έρευνα |
|
1N3212 | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU