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UMN10NTR
- Modèle de produit:
- UMN10NTR
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 50799 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.UMN10NTR.pdf2.UMN10NTR.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.2V @ 100mA |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 80V |
| Package composant fournisseur: | UMD6 |
| La vitesse: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 4ns |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Autres noms: | UMN10NCT |
| Température d'utilisation - Jonction: | 150°C (Max) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Standard |
| Configuration diode: | 3 Independent |
| Description détaillée: | Diode Array 3 Independent Standard 80V 100mA Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 100nA @ 70V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 100mA |
| Numéro de pièce de base: | MN10 |
| Email: | [email protected] |
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