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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - tableaux, pré bia > UMF21NTR
UMF21NTR
UMF21NTR
Modèle de produit:
UMF21NTR
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
29472 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
UMF21NTR.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Transistor Type:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Package composant fournisseur:UMT6
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):10 kOhms
Résistance - Base (R1):10 kOhms
Puissance - Max:150mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:250MHz, 260MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount UMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA, 500mA
Numéro de pièce de base:*MF21
Email:[email protected]

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