TSM4NB60CH C5G
TSM4NB60CH C5G
Modèle de produit:
TSM4NB60CH C5G
Fabricant:
TSC (Taiwan Semiconductor)
La description:
600V N CHANNEL MOSFET
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
49538 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
TSM4NB60CH C5G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-251 (IPAK)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.5 Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max):50W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms:TSM4NB60CH C5G-ND
TSM4NB60CHC5G
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:30 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:14.5nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 4A 50W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:4A
Email:[email protected]

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