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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > TBC857B,LM
TBC857B,LM
Modèle de produit:
TBC857B,LM
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
42286 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
TBC857B,LM.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:650mV @ 100mA, 5mA
Transistor Type:PNP
Package composant fournisseur:SOT-23
Séries:-
Puissance - Max:320mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:TBC857BLMCT
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:80MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 150mA 80MHz 320mW Surface Mount SOT-23
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:210 @ 2mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):30nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):150mA
Email:[email protected]

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