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STU9HN65M2
- Modèle de produit:
- STU9HN65M2
- Fabricant:
- STMicroelectronics
- La description:
- MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 56175 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- STU9HN65M2.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±25V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | I-PAK |
| Séries: | MDmesh™ M2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 820 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 60W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Autres noms: | 497-16026-5 |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 325pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 11.5nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 650V |
| Description détaillée: | N-Channel 650V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 5.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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