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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > STS10DN3LH5
STS10DN3LH5
STS10DN3LH5
Modèle de produit:
STS10DN3LH5
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
51431 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
STS10DN3LH5.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Package composant fournisseur:8-SO
Séries:STripFET™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:21 mOhm @ 5A, 10V
Puissance - Max:2.5W
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:497-10011-1
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:475pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:4.6nC @ 5V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10A 2.5W Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:10A
Email:[email protected]

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