STE110NS20FD
STE110NS20FD
Modèle de produit:
STE110NS20FD
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
44805 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
STE110NS20FD.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:ISOTOP®
Séries:MESH OVERLAY™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:24 mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max):500W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:ISOTOP
Autres noms:497-2657-5
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:7900pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:504nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):200V
Description détaillée:N-Channel 200V 110A (Tc) 500W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

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