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SQJB60EP-T1_GE3
- Modèle de produit:
- SQJB60EP-T1_GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 47002 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SQJB60EP-T1_GE3.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12 mOhm @ 10A, 10V |
| Puissance - Max: | 48W |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Autres noms: | SQJB60EP-T1_GE3CT |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1600pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | Standard |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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