SQJA00EP-T1_GE3
SQJA00EP-T1_GE3
Modèle de produit:
SQJA00EP-T1_GE3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
35854 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
SQJA00EP-T1_GE3.pdf

introduction

SQJA00EP-T1_GE3 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour SQJA00EP-T1_GE3, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour SQJA00EP-T1_GE3 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez SQJA00EP-T1_GE3 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PowerPAK® SO-8
Séries:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:13 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max):48W (Tc)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:PowerPAK® SO-8
Autres noms:SQJA00EP-T1_GE3DKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 30A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes