SI7844DP-T1-E3
SI7844DP-T1-E3
Modèle de produit:
SI7844DP-T1-E3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
44689 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
SI7844DP-T1-E3.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Package composant fournisseur:PowerPAK® SO-8 Dual
Séries:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:22 mOhm @ 10A, 10V
Puissance - Max:1.4W
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:PowerPAK® SO-8 Dual
Autres noms:SI7844DP-T1-E3CT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6.4A
Numéro de pièce de base:SI7844
Email:[email protected]

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