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SI6562CDQ-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SI6562CDQ-T1-GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 24877 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SI6562CDQ-T1-GE3.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | 8-TSSOP |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V |
| Puissance - Max: | 1.6W, 1.7W |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Autres noms: | SI6562CDQ-T1-GE3CT |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 850pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| type de FET: | N and P-Channel |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 6.7A, 6.1A |
| Numéro de pièce de base: | SI6562 |
| Email: | [email protected] |
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