SI5920DC-T1-GE3 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour SI5920DC-T1-GE3, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour SI5920DC-T1-GE3 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez SI5920DC-T1-GE3 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
SI5920DC-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SI5920DC-T1-GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 53121 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SI5920DC-T1-GE3.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | 1206-8 ChipFET™ |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
| Puissance - Max: | 3.12W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SMD, Flat Lead |
| Autres noms: | SI5920DC-T1-GE3TR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 680pF @ 4V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 5V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss): | 8V |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4A |
| Numéro de pièce de base: | SI5920 |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes SI5920DC-T1-GE3
Latest Nouvelles
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement
- Vishay lance un emballage minileur à haute luminosité petite LED bleu et vert pur
- Ansonmei a lancé un capteur de position inductif pour le marché industriel et des transports
- Ruisa démarre l'ancienne usine pour augmenter le dispositif d'alimentation, le tremblement de terre affecte la sortie DRAM douce
- Microchip permet la capacité de production du TSMC et augmente les augmentations de prix