SI1016CX-T1-GE3
SI1016CX-T1-GE3
Modèle de produit:
SI1016CX-T1-GE3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
54373 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
SI1016CX-T1-GE3.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Package composant fournisseur:SC-89-6
Séries:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:396 mOhm @ 500mA, 4.5V
Puissance - Max:220mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-563, SOT-666
Autres noms:SI1016CX-T1-GE3-ND
SI1016CX-T1-GE3TR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:43pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:2nC @ 4.5V
type de FET:N and P-Channel
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:Mosfet Array N and P-Channel 20V 220mW Surface Mount SC-89-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:-
Email:[email protected]

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