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S1JVNJD2873T4G
- Modèle de produit:
- S1JVNJD2873T4G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- TRANSISTOR PNP BIPO
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 54490 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- S1JVNJD2873T4G.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 50mA, 1A |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | DPAK |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 1.68W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Température de fonctionnement: | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 14 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 65MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 2A 65MHz 1.68W Surface Mount DPAK |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 500mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
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