RN1503(TE85L,F)
RN1503(TE85L,F)
Modèle de produit:
RN1503(TE85L,F)
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
33884 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
RN1503(TE85L,F).pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type:2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Package composant fournisseur:SMV
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):22 kOhms
Résistance - Base (R1):22 kOhms
Puissance - Max:300mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:SC-74A, SOT-753
Autres noms:RN1503(TE85LF)CT
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:250MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:70 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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