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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > RDD020N60TL
RDD020N60TL
RDD020N60TL
Modèle de produit:
RDD020N60TL
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
45615 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
RDD020N60TL.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:CPT3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:-
Dissipation de puissance (max):20W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 2A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

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