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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - tableaux, pré bia > PUMD2/DG/B3,135
PUMD2/DG/B3,135
Modèle de produit:
PUMD2/DG/B3,135
Fabricant:
Nexperia
La description:
TRANS RET SC-88
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
31809 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
PUMD2/DG/B3,135.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:SOT-363
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):22 kOhms
Résistance - Base (R1):22 kOhms
Puissance - Max:300mW
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms:934066961135
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:230MHz, 180MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 300mW Surface Mount SOT-363
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:60 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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