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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - tableaux, pré bia > PRMD12Z
PRMD12Z
PRMD12Z
Modèle de produit:
PRMD12Z
Fabricant:
Nexperia
La description:
PRMD12/SOT1268/DFN1412-6
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
45926 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
PRMD12Z.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Package composant fournisseur:DFN1412-6
Séries:Automotive, AEC-Q101
Résistance - Base de l'émetteur (R2):47 kOhms
Résistance - Base (R1):47 kOhms
Puissance - Max:480mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-XFDFN Exposed Pad
Autres noms:1727-7390-2
934070168147
PRMD12Z-ND
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:13 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:230MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 100mA 230MHz 480mW Surface Mount DFN1412-6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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