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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - tableaux, pré bia > PQMD12Z
PQMD12Z
PQMD12Z
Modèle de produit:
PQMD12Z
Fabricant:
Nexperia
La description:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.35W 6DFN
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
26935 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
PQMD12Z.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:DFN1010B-6
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):47 kOhms
Résistance - Base (R1):47 kOhms
Puissance - Max:350mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:6-XFDFN Exposed Pad
Autres noms:1727-1479-1
568-10950-1
568-10950-1-ND
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:230MHz, 180MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 350mW Surface Mount DFN1010B-6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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