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NXPSC08650Q
- Modèle de produit:
- NXPSC08650Q
- Fabricant:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- La description:
- DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC
- Quantité en stock:
- 49447 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- NXPSC08650Q.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.7V @ 8A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 650V |
| Package composant fournisseur: | TO-220AC |
| La vitesse: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 0ns |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-2 |
| Autres noms: | 1740-1222 934068069127 |
| Température d'utilisation - Jonction: | 175°C (Max) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Type de diode: | Silicon Carbide Schottky |
| Description détaillée: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A Through Hole TO-220AC |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 230µA @ 650V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 8A |
| Capacité à Vr, F: | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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