NVMFS6B25NLWFT1G
NVMFS6B25NLWFT1G
Modèle de produit:
NVMFS6B25NLWFT1G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
24227 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
NVMFS6B25NLWFT1G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Séries:Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs:24 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max):3.6W (Ta), 62W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerTDFN, 5 Leads
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:44 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:905pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:13.5nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 8A (Ta), 33A (Ta) 3.6W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:8A (Ta), 33A (Ta)
Email:[email protected]

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