NTMFS4833NT1G
NTMFS4833NT1G
Modèle de produit:
NTMFS4833NT1G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
35291 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
NTMFS4833NT1G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max):910mW (Ta), 125W (Tc)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:8-PowerTDFN, 5 Leads
Autres noms:NTMFS4833NT1GOSDKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:5600pF @ 12V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:88nC @ 11.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 16A (Ta), 156A (Tc) 910mW (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:16A (Ta), 156A (Tc)
Email:[email protected]

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