NTMFD4C85NT1G
NTMFD4C85NT1G
Modèle de produit:
NTMFD4C85NT1G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
48457 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
NTMFD4C85NT1G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:2.1V @ 250µA
Package composant fournisseur:8-DFN (5x6)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3 mOhm @ 20A, 10V
Puissance - Max:1.13W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:NTMFD4C85NT1G-ND
NTMFD4C85NT1GOSTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1960pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15.4A, 29.7A 1.13W Surface Mount 8-DFN (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:15.4A, 29.7A
Email:[email protected]

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