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NTMD6601NR2G
- Modèle de produit:
- NTMD6601NR2G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 49432 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- NTMD6601NR2G.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | 8-SOIC |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 215 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Puissance - Max: | 600mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 400pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss): | 80V |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 1.1A 600mW Surface Mount 8-SOIC |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 1.1A |
| Email: | [email protected] |
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