NTHD4102PT1G
NTHD4102PT1G
Modèle de produit:
NTHD4102PT1G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
31953 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
NTHD4102PT1G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Package composant fournisseur:ChipFET™
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Puissance - Max:1.1W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SMD, Flat Lead
Autres noms:NTHD4102PT1GOS
NTHD4102PT1GOS-ND
NTHD4102PT1GOSTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:750pF @ 16V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:8.6nC @ 4.5V
type de FET:2 P-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2.9A
Numéro de pièce de base:NTHD4102P
Email:[email protected]

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