NSBC143TPDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G
Modèle de produit:
NSBC143TPDXV6T1G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
58875 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
NSBC143TPDXV6T1G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:SOT-563
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):-
Résistance - Base (R1):4.7 kOhms
Puissance - Max:500mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-563, SOT-666
Autres noms:NSBC143TPDXV6T1GOS
NSBC143TPDXV6T1GOS-ND
NSBC143TPDXV6T1GOSTR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:4 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:160 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Numéro de pièce de base:NSBC1*
Email:[email protected]

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