NGB8204NT4G
NGB8204NT4G
Modèle de produit:
NGB8204NT4G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 430V 18A 115W D2PAK
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
21956 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
NGB8204NT4G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):430V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.5V @ 4V, 15A
Condition de test:-
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:-
énergie de commutation:-
Package composant fournisseur:D2PAK
Séries:-
Puissance - Max:115W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Logic
type de IGBT:-
Description détaillée:IGBT 430V 18A 115W Surface Mount D2PAK
Courant - Collecteur pulsée (Icm):50A
Courant - Collecteur (Ic) (max):18A
Numéro de pièce de base:NGB8204
Email:[email protected]

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