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MURT10060R
- Modèle de produit:
- MURT10060R
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 53945 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.MURT10060R.pdf2.MURT10060R.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.7V @ 100A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 600V |
| Package composant fournisseur: | Three Tower |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 75ns |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | Three Tower |
| Autres noms: | MURT10060RGN |
| Température d'utilisation - Jonction: | -40°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 4 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Standard, Reverse Polarity |
| Configuration diode: | - |
| Description détaillée: | Diode Array Standard, Reverse Polarity 600V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 25µA @ 50V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 100A (DC) |
| Email: | [email protected] |
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