MUR10060CTR
Modèle de produit:
MUR10060CTR
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
La description:
DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
41992 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.MUR10060CTR.pdf2.MUR10060CTR.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.7V @ 50A
Tension - inverse (Vr) (max):600V
Package composant fournisseur:Twin Tower
La vitesse:Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):110ns
Emballage:Bulk
Package / Boîte:Twin Tower
Autres noms:MUR10060CTRGN
Température d'utilisation - Jonction:-55°C ~ 150°C
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:4 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type de diode:Standard
Configuration diode:1 Pair Common Anode
Description détaillée:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 600V 100A (DC) Chassis Mount Twin Tower
Courant - fuite, inverse à Vr:25µA @ 50V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):100A (DC)
Email:[email protected]

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