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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT46H256M32L4LE-48 WT:C
MT46H256M32L4LE-48 WT:C
Modèle de produit:
MT46H256M32L4LE-48 WT:C
Fabricant:
Micron Technology
La description:
IC DRAM 8G PARALLEL 208MHZ
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
34803 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
MT46H256M32L4LE-48 WT:C.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Écrire le temps de cycle - Word, Page:14.4ns
Tension - Alimentation:1.7 V ~ 1.95 V
La technologie:SDRAM - Mobile LPDDR
Séries:-
Autres noms:MT46H256M32L4LE-48 WT:C-ND
MT46H256M32L4LE-48WT:C
Température de fonctionnement:-25°C ~ 85°C (TA)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:8Gb (256M x 32)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 8Gb (256M x 32) Parallel 208MHz 5.0ns
Fréquence d'horloge:208MHz
Temps d'accès:5.0ns
Email:[email protected]

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