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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT40A256M16GE-083E AAT:B TR
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR
Modèle de produit:
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR
Fabricant:
Micron Technology
La description:
IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
44119 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:1.14 V ~ 1.26 V
La technologie:SDRAM - DDR4
Séries:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Autres noms:MT40A256M16GE-083E AAT:B TR-ND
MT40A256M16GE-083EAAT:BTR
Température de fonctionnement:-40°C ~ 105°C (TC)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:4Gb (256M x 16)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 1.2GHz
Fréquence d'horloge:1.2GHz
Email:[email protected]

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