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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - RF > MDS1100
MDS1100
Modèle de produit:
MDS1100
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANS RF BIPO 8750W 100A 55TU1
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
35346 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
MDS1100.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):65V
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:55TU-1
Séries:-
Puissance - Max:8750W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:55TU-1
Température de fonctionnement:200°C (TJ)
Noise Figure (dB Typ @ f):-
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Gain:8.9dB
Fréquence - Transition:1.03GHz
Description détaillée:RF Transistor NPN 65V 100A 1.03GHz 8750W Surface Mount 55TU-1
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:20 @ 5A, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max):100A
Email:[email protected]

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