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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > JANTXV1N649-1
JANTXV1N649-1
Modèle de produit:
JANTXV1N649-1
Fabricant:
Microsemi
La description:
DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
32638 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
JANTXV1N649-1.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Tension - Inverse de crête (max):Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:400mA
Tension - Ventilation:DO-35
Séries:Military, MIL-PRF-19500/240
État RoHS:Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr):Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F:-
Polarisation:DO-204AH, DO-35, Axial
Autres noms:1086-15996
1086-15996-MIL
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:JANTXV1N649-1
Description élargie:Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35
Configuration diode:50nA @ 600V
La description:DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Courant - fuite, inverse à Vr:1V @ 400mA
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):600V
Capacité à Vr, F:-65°C ~ 175°C
Email:[email protected]

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