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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > JAN1N4150UR-1
JAN1N4150UR-1
JAN1N4150UR-1
Modèle de produit:
JAN1N4150UR-1
Fabricant:
Microsemi
La description:
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
51600 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
JAN1N4150UR-1.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Tension - Inverse de crête (max):Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:200mA (DC)
Tension - Ventilation:DO-213AA
Séries:Military, MIL-PRF-19500/231
État RoHS:Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr):Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Résistance @ Si, F:-
Polarisation:DO-213AA
Autres noms:1086-15207-MIL
Température d'utilisation - Jonction:4ns
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Référence fabricant:JAN1N4150UR-1
Description élargie:Diode Standard 50V 200mA (DC) Surface Mount DO-213AA
Configuration diode:100nA @ 50V
La description:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Courant - fuite, inverse à Vr:1V @ 200mA
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):50V
Capacité à Vr, F:-65°C ~ 175°C
Email:[email protected]

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