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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXTX550N055T2
IXTX550N055T2
IXTX550N055T2
Modèle de produit:
IXTX550N055T2
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 55V 550A PLUS247
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
40976 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXTX550N055T2.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PLUS247™-3
Séries:FRFET®, SupreMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.6 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max):1250W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:40000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:595nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):55V
Description détaillée:N-Channel 55V 550A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:550A (Tc)
Email:[email protected]

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