Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXTQ36N50P
IXTQ36N50P
IXTQ36N50P
Modèle de produit:
IXTQ36N50P
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
52879 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXTQ36N50P.pdf
Enquête

introduction

IXTQ36N50P est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour IXTQ36N50P, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour IXTQ36N50P par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez IXTQ36N50P avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-3P
Séries:PolarHV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:170 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max):540W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:5500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:85nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):500V
Description détaillée:N-Channel 500V 36A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-3P
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:36A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes IXTQ36N50P

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
IXTQ280N055T Image IXTQ280N055T IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 280A TO-3P Enquête
IXTQ450P2 Image IXTQ450P2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 16A TO3P Enquête
IXTQ460P2 Image IXTQ460P2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 24A TO3P Enquête
IXTQ40N50L2 Image IXTQ40N50L2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P Enquête
IXTQ36N20T Image IXTQ36N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V TO-3P Enquête
IXTQ32N65X Image IXTQ32N65X IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 32A TO-3P Enquête
IXTQ42N25P Image IXTQ42N25P IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 42A TO-3P Enquête
IXTQ40N50Q Image IXTQ40N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P Enquête
IXTQ30N50P Image IXTQ30N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P Enquête
IXTQ30N60L2 Image IXTQ30N60L2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P Enquête
IXTQ30N60P Image IXTQ30N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P Enquête
IXTQ30N50L2 Image IXTQ30N50L2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P Enquête
IXTQ44N50P Image IXTQ44N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P Enquête
IXTQ28N15P Image IXTQ28N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH TO-3P Enquête
IXTQ36N30P Image IXTQ36N30P IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P Enquête
IXTQ30N50L Image IXTQ30N50L IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P Enquête
IXTQ36P15P Image IXTQ36P15P IXYS Corporation MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P Enquête
IXTQ470P2 Image IXTQ470P2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 42A TO3P Enquête
IXTQ44N30T Image IXTQ44N30T IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 44A TO-3P Enquête
IXTQ44P15T Image IXTQ44P15T IXYS Corporation MOSFET P-CH 150V 44A TO-3P Enquête

Latest Nouvelles