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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXTP10N60PM
IXTP10N60PM
IXTP10N60PM
Modèle de produit:
IXTP10N60PM
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
52348 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXTP10N60PM.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 100µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220AB
Séries:PolarHV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:740 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max):50W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1610pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:5A (Tc)
Email:[email protected]

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