IRF8910TRPBF
IRF8910TRPBF
Modèle de produit:
IRF8910TRPBF
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
50446 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IRF8910TRPBF.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:2.55V @ 250µA
Package composant fournisseur:8-SO
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:13.4 mOhm @ 10A, 10V
Puissance - Max:2W
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:*IRF8910TRPBF
IRF8910PBFCT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:960pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 4.5V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:10A
Numéro de pièce de base:IRF8910PBF
Email:[email protected]

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