IRF7807ATR est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour IRF7807ATR, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour IRF7807ATR par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez IRF7807ATR avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
IRF7807ATR
- Modèle de produit:
- IRF7807ATR
- La description:
- MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Quantité en stock:
- 36897 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- IRF7807ATR.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-SO |
| Séries: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 25 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 2.5W (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 8.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes IRF7807ATR
Latest Nouvelles
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement
- Vishay lance un emballage minileur à haute luminosité petite LED bleu et vert pur
- Ansonmei a lancé un capteur de position inductif pour le marché industriel et des transports
- Ruisa démarre l'ancienne usine pour augmenter le dispositif d'alimentation, le tremblement de terre affecte la sortie DRAM douce
- Microchip permet la capacité de production du TSMC et augmente les augmentations de prix