IRF6645
IRF6645
Modèle de produit:
IRF6645
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
36261 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IRF6645.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:4.9V @ 50µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DIRECTFET™ SJ
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:35 mOhm @ 5.7A, 10V
Dissipation de puissance (max):3W (Ta), 42W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:DirectFET™ Isometric SJ
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:890pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:5.7A (Ta), 25A (Tc)
Email:[email protected]

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