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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPSH5N03LA G
IPSH5N03LA G
IPSH5N03LA G
Modèle de produit:
IPSH5N03LA G
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
30237 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IPSH5N03LA G.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
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Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 35µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO251-3
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5.4 mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max):83W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Autres noms:IPSH5N03LA G-ND
IPSH5N03LAG
IPSH5N03LAGX
SP000064378
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2653pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):25V
Description détaillée:N-Channel 25V 50A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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