IPP100P03P3L-04 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour IPP100P03P3L-04, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour IPP100P03P3L-04 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez IPP100P03P3L-04 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
IPP100P03P3L-04
- Modèle de produit:
- IPP100P03P3L-04
- La description:
- MOSFET P-CH 30V 100A TO220-3
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 33248 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- IPP100P03P3L-04.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 475µA |
| Vgs (Max): | +5V, -16V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO220-3-1 |
| Séries: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.3 mOhm @ 80A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 200W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 |
| Autres noms: | SP000311114 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 9300pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 200nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | P-Channel 30V 100A (Tc) 200W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes IPP100P03P3L-04
Latest Nouvelles
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement
- Vishay lance un emballage minileur à haute luminosité petite LED bleu et vert pur
- Ansonmei a lancé un capteur de position inductif pour le marché industriel et des transports
- Ruisa démarre l'ancienne usine pour augmenter le dispositif d'alimentation, le tremblement de terre affecte la sortie DRAM douce
- Microchip permet la capacité de production du TSMC et augmente les augmentations de prix
- Ruisa a lancé la nouvelle série RA0 Série Ultra -Low Power Entry -vel MCU
- Melexis lance une puce d'interrupteur d'inductivité intégrale complète
- X-FAB introduit la technologie d'éclairage du capteur d'image pour améliorer les performances du capteur CMOS
- La grande usine de puces a été affectée par le tremblement de terre: TSMC a cessé de fonctionner de toute urgence, exacerbant l'alimentation GPU en pénurie?
- La mémoire de Nand Flash continue, le fond du déstockage MCU est correct
- Sous la sortie aérienne de l'IA, les deux principaux géants de la puce sont "pas forts": écraser l'argent pour briser le jeu, parier sur 2025 batailles d'équipe