HN2C01FE-GR(T5L,F)
HN2C01FE-GR(T5L,F)
Modèle de produit:
HN2C01FE-GR(T5L,F)
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
21256 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
HN2C01FE-GR(T5L,F).pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
Transistor Type:2 NPN (Dual)
Package composant fournisseur:ES6
Séries:-
Puissance - Max:100mW
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:SOT-563, SOT-666
Autres noms:HN2C01FE-GR(T5LF)DKR
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:60MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 60MHz 100mW Surface Mount ES6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 2mA, 6V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):150mA
Email:[email protected]

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