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GPAS1006 MNG
- Modèle de produit:
- GPAS1006 MNG
- Fabricant:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- La description:
- DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 58782 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- GPAS1006 MNG.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.1V @ 10A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 800V |
| Package composant fournisseur: | TO-263AB (D²PAK) |
| La vitesse: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms: | GPAS1006 MNG-ND GPAS1006MNG |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Standard |
| Description détaillée: | Diode Standard 800V 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK) |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 5µA @ 800V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 10A |
| Capacité à Vr, F: | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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