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GB02SLT12-252
- Modèle de produit:
- GB02SLT12-252
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 25937 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- GB02SLT12-252.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.8V @ 2A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 1200V |
| Package composant fournisseur: | TO-252 |
| La vitesse: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 0ns |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | 1242-1138-6 |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Silicon Carbide Schottky |
| Description détaillée: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 5A (DC) Surface Mount TO-252 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 50µA @ 1200V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 5A (DC) |
| Capacité à Vr, F: | 131pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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