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GA20JT12-263
- Modèle de produit:
- GA20JT12-263
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- TRANS SJT 1200V 45A
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 33852 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- GA20JT12-263.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | - |
| La technologie: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Package composant fournisseur: | D2PAK (7-Lead) |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 20A |
| Dissipation de puissance (max): | 282W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Autres noms: | 1242-1189 GA20JT12-247ISO GA20JT12247ISO |
| Température de fonctionnement: | 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 3091pF @ 800V |
| type de FET: | - |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | - |
| Tension drain-source (Vdss): | 1200V |
| Description détaillée: | 1200V 45A (Tc) 282W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 45A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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